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Samsung电子公司推出业界首个60nm 8Gb NAND闪存储器
Samsung电子公司推出业界首个60nm 8Gb NAND闪存储器K9W8G08U1M,用作存储媒体如用在移动设备的低容量移动硬盘. NAND闪存技术,平均每12个月增加容量一倍.在1999年为256Mb,2000年则增加到 ... 8Gb. 开发这样高容量和精细的电路设计的关键技术是3D单元晶体管结构和高介质栅绝缘技术.此外,通过广泛使用的KrF光刻印刷术,每位的成本降低了50%. Samsung在60nm技术中通过采用多级单元(MLC)技术,进一步增强了这种技术.新的8Gb MLC NAND闪存扩充了S
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Samsung的8GB FB-DIMM服务器用存储器
... 公司推出新的8GB产品用于服务器.在十月份推出的8GB注册双列直插存储器模块(R-DIMM),Samsung现在增加它的全缓冲双列直插存储器模块(FB-DIMM),包括采用80nm 2Gb DDR的8GB,用于高速服务器.这种器件代表了在高档服务器存储器架构中重大意义的飞跃.采用Samsung的大容量存储器将会增加所安装的存储器的容量,并为未来的升级保留了插槽.诸如新的8GB FB-DIMM的Samsung存储器非常适合用在空间限制的刀片和1U服务器.FB-DIMM架构克服了以前每通路两到 ...
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SAMSUNG的Minitab教程
听说你还在满世界找SAMSUNG的Minitab教程？在这里，为大家整理收录了最全、最好的SAMSUNG的Mi...该文档为SAMSUNG的Minitab教程，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看
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三星（SAMSUNG）片式陶瓷电容规格书
大家都了解SAMSUNG电容，那是否了解过SAMSUNG片式陶瓷电容的作用呢？SAMSUNG片式陶瓷电容在所有品牌中质量、价格都非常有竞争力。
下面给大家分享一下三星片式陶瓷电容的规格书，希望对大家有帮助：
三星片式陶瓷电容规格书1.rar
三星片式陶瓷电容规格书2.rar
三星片式陶瓷电容规格书3.rar
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SAMSUNG ARM7T S3C4510B最小系统开发板硬件原理图+PCB文件.zip
SAMSUNG ARM7T S3C4510B最小系统开发板硬件原理图+PCB文件，采用2层板设计，板子大小为172x121mm，双面布局布线，CPU为S3C4510B，主要器件包括AC101TF，H1102，HY57V641620HGT-7/KM416S4020B等。Protel 99se 设计的DDB后缀项目工程文件，包括完整无措的原理图及PCB印制板图，可用Protel或 Altium Designer(AD)软件打开或修改，已经制板并在实际项目中使用，可作为你产品设计的参考。
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