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High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/ GaN HEMT with Large Gate Swing
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1275k
资源说明：根据给定文件中的内容，可以提取和总结以下知识点：
1. 标题知识点：“High-threshold-voltage Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/ GaN HEMT with Large Gate Swing”所涉及的内容涉及半导体器件领域，特别是在高电子迁移率晶体管（HEMT）技术方面的研究进展。它提到了以下关键概念和特性：
- 高阈值电压（High-threshold-voltage）：指的是晶体管开启工作所需的最小电压，高阈值电压可以减少器件在零偏压时的漏电流，提升可靠性。
- 常关型（Normally-off）：表示晶体管在无偏压或零偏压时处于关闭状态，这比常开型（Normally-on）更安全，更适用于大多数应用。
- 槽栅技术（Recessed MOS-gate）：这是一种制程技术，通过刻蚀一个槽来形成MOS栅，可以增加栅控能力，减少漏电流，提高器件的性能。
- AlGaN/GaN材料：表示该HEMT使用的是铝镓氮化物（AlGaN）与氮化镓（GaN）的异质结构，这种材料组合可以提供更高的电子迁移率和更好的热稳定性。
- 大栅压摆幅（Large Gate Swing）：指的是晶体管栅极电压的变化范围较大，能够在较大范围内调节导通电流，有利于电路设计。
2. 描述知识点：文档描述了对一种常关型槽栅AlGaN/GaN HEMT的研究，该器件使用了40纳米的氧化铝（Al2O3）薄膜作为栅介质，通过感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术制造。文中提到了关键参数，如阈值电压、特定导通电阻、漏电流密度、击穿电压、电流开关比及栅泄漏电流等，这些都是评估HEMT性能的重要指标。
3. 标签知识点：“研究论文”表明本文档是一篇发表在学术期刊上的研究文章，这类文章通常包含详细的研究过程、实验数据以及对结果的分析讨论。
4. 内容部分知识点：文章的发表细节表明了研究的基金支持，包括“863”国家高技术研究发展计划和国家自然科学基金，这体现了研究的权威性和科学意义。此外，文章发表的具体信息如卷数、期数、日期等，也反映了学术论文的正式性和出版时间。
从以上知识点可以看出，这篇文章主要探讨了具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN HEMT的研究进展和性能，这在电力电子、高速开关、射频放大等高技术应用领域具有重要的研究价值和应用前景。
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